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SiC半导体材料及其器件应用 被引量：13
1
作者 杨克武 潘静 杨银堂 《半导体情报》 2000年第2期13-15,29,共4页
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
关键词 半导体材料 半导体器件 碳化硅
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SOC的现状与发展 被引量：16
2
作者 吴洪江 郑滨 《半导体情报》 2001年第4期10-14,共5页
介绍了 SOC,MEMS,MCM的进展 ,对 SOC在设计、 IP芯核开发方面作了简要说明 ,提出了我国在 SOC领域应开展的工作。
关键词 系统级芯片 微电子机械系统 多芯片模块 集成电路
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通信用线性功率放大器的进展 被引量：9
3
作者 李浩模 《半导体情报》 2001年第1期5-7,共3页
综述了线性功率放大器的发展与现状 ,并分别介绍了当前已在应用的预失真法、前馈法和组合模块法线性功放的原理及电路。
关键词 线性功率放大器 通信 预失真法 前馈法 组合模块法
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21世纪初微电子技术发展展望 被引量：13
4
作者 赵正平 《半导体情报》 1999年第1期1-9,共9页
综述了微电子领域中纳米技术、ＭＥＭＳ、Ｓｉ和ＧａＡｓ集成电路、微波／毫米波器件及宽禁带半导体技术目前的发展状况。在此基础上，对其在２１世纪初期的发展做了展望。
关键词 纳米技术 MEMS 集成电路 宽禁带半导体
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氮化镓微波电子学的进展 被引量：9
5
作者 袁明文 潘静 《半导体情报》 1999年第3期1-9,共9页
简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。
关键词 宽禁带 半导体 微波器件 氮化镓
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MEMS封装技术现状与发展趋势 被引量：10
6
作者 李秀清 周继红 《半导体情报》 2001年第5期1-4,27,共5页
介绍了 MEMS封装技术 ,包括单芯片和多芯片封装技术。从适用性的观点出发 ,概述了当前的 MEMS封装技术现状 。
关键词 MEMS 封装 多芯片 微机电系统 微电子
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Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 被引量：9
7
作者 闫发旺 梁春广 《半导体情报》 2001年第6期2-7,共6页
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。
关键词 稀磁半导体 半导体异质结 自旋电子器件 Ⅲ-V族磁半导体 半导体材料
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T/ R 模块的发展现状及趋势 被引量：7
8
作者 李静 《半导体情报》 1999年第4期22-24,共3页
介绍了 Ｔ／ Ｒ 模块的关键技术、新技术。展望了 Ｔ／ Ｒ 模块的发展趋势。
关键词 T/R模块 MMIC 微波集成电路
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离子束刻蚀 被引量：12
9
作者 赵丽华 周名辉 +3 位作者 王书明 李锦标 霍彩虹 周晓黎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期39-42,共4页
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的... 介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果，对有关问题进行了讨论。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 干法刻蚀 半导体器件
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闪速存储器的研究与进展 被引量：6
10
作者 于宗光 何耀宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期1-7,共7页
介绍了闪速存储器的发展历史，分析了闪速存储器单元及电路的工作原理，并就“与非”结构闪速存储器进行探讨，最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码／电路和深亚微米（０．２５μｍ）闪速存储器技术。
关键词 闪速存储器 EPROM E^2PROM 结构
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单晶碳化硅的电磁场励磁大抛光模磁流变抛光 被引量：13
11
作者 尹韶辉 邓子默 +5 位作者 郭源帆 刘坚 黄帅 尹建刚 卢建刚 彭博 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期309-315,共7页
目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置,进行单因素实验,研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流... 目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置,进行单因素实验,研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流变抛光加工性能的影响,并检测加工面粗糙度及其变化率来分析抛光效果。结果在工作间隙1.4 mm、电流强度12 A的工艺参数下,加工面粗糙度值随着加工时间的增加而降低,抛光60 min后,加工面粗糙度值Ra达到0.9 nm,变化率达到98.3%。加工面粗糙度值随通电电流的增大而减小,随着工作间隙的增大而增大。在工作间隙为1.0 mm、通电电流为16 A、加工时间为40 min的优化参数下抛光单晶碳化硅,可获得表面粗糙度Ra为0.6 nm的超光滑表面。结论应用电磁场励磁的大抛光模盘式磁流变抛光方法加工单晶碳化硅材料,能够获得亚纳米级表面粗糙度。 展开更多
关键词 碳化硅晶片 磁流变抛光 大抛光模 表面粗糙度 电磁场
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BGA封装技术研究 被引量：5
12
作者 李秀清 葛新霞 《半导体情报》 2000年第4期18-22,26,共6页
介绍了 BGA技术的研究现状 ,着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景。
关键词 封装 芯片互连 BGA
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微电子器件的抗辐射加固技术 被引量：9
13
作者 何君 《半导体情报》 2001年第2期19-23,30,共6页
对各类微电子材料的抗辐射特性进行了分析 ,对 Si双极器件和 Si CMOS器件、 Ga As微波功率器件、新兴光电器件—— VCSEL、 LED以及 MEMS的抗辐射加固技术进行了探讨 ,对几种空间单粒子效应 (SEE)
关键词 抗辐射加固 单粒子效应 微电子器件 电子材料
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SiGe半导体技术新进展 被引量：9
14
作者 蒋昌凌 《半导体情报》 2000年第3期26-31,共6页
综述了 Si Ge材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况 ,并介绍了国外 Si Ge的研究情况。
关键词 HBT 半导体技术 锗化硅
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RF LDMOS功率晶体管及其应用 被引量：5
15
作者 云振新 戴洪波 《半导体情报》 2001年第3期16-20,61,共6页
论述了 RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点。从与双极晶体管相比较的角度 ,讨论了这种器件的优异性能。对其发展动态和应用情况作了介绍。
关键词 移动通信 LDMOS 功率晶体管
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对影响内引线键合可靠性的因素的分析与对策 被引量：6
16
作者 马玉华 卜瑞艳 《半导体情报》 1999年第5期53-56,共4页
简述了半导体器件内引线键合的机制及如何检测内引线的键合质量， 分析了影响内引线键合质量的因素， 重点分析了半导体器件最常见的失效模式——键合点脱落的因素，
关键词 引线键合 可靠性 半导体器件 制造工艺
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功率模块用陶瓷覆铜基板研究进展 被引量：9
17
作者 赵东亮 高岭 《真空电子技术》 2014年第5期17-20,24,共5页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域中最重要的大功率器件,大规模应用于电动汽车、电力机车等领域。陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能,是IGBT功... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子领域中最重要的大功率器件,大规模应用于电动汽车、电力机车等领域。陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能,是IGBT功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。本文介绍了陶瓷覆铜板中陶瓷基板材料和覆铜技术的研究现状,并展望了陶瓷覆铜板在下一代功率模块上的应用前景。 展开更多
关键词 陶瓷覆铜板 陶瓷基板材料 覆铜 功率模块
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GaN高频开关电力电子学的新进展 被引量：8
18
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期1-9,共9页
宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波领域发展成熟的同时,又在电力电子的高频开关方面进入应用创新的发展阶段。综述了近几年Ga N功率HEMT... 宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波领域发展成熟的同时,又在电力电子的高频开关方面进入应用创新的发展阶段。综述了近几年Ga N功率HEMT在高频开关方面的最新进展:高频高效率开关应用;高功率密度;栅极驱动电路设计;大功率集成;热设计和可靠性研究等。重点介绍了基于Ga N功率HEMT在高频开关中应用的特点,在电路拓扑结构设计、寄生参量的抑制、栅极驱动电路设计、功率集成、散热设计与工艺和失效机理等创新。Ga N高频开关电力电子学在应用创新方面已取得重要进展。 展开更多
关键词 电力电子学 GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT) 开关频率 高效率 高功率密度 栅极驱动电路 功率集成 热管理
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单片微波集成电路T/R组件 被引量：2
19
作者 李浩模 《现代雷达》 CSCD 1993年第2期65-75,23,共12页
本文简要地评述了相控阵用单片微波集成电路发射/接收(T/R)组件的特点及发展概况,讨论了单片微波集成电路T/R组件的电路、封装、测试和成本,最后,给出了几个单片微波集成电路T/R组件的实例。
关键词 微波集成电路 发射 相控阵雷达
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人工智能技术在期刊编辑工作中的应用思考 被引量：4
20
作者 闫立华 《传播与版权》 2024年第3期19-21,共3页
文章分析了大数据时代的基本特征以及人工智能背景下期刊编辑工作面临的重大挑战,从智能审稿、排版、校对、宣传和编辑流程管理方面阐述了人工智能在期刊编辑环节中的创新作用,重点梳理了科技论文中的复制内容对初审查重工作的影响、编... 文章分析了大数据时代的基本特征以及人工智能背景下期刊编辑工作面临的重大挑战,从智能审稿、排版、校对、宣传和编辑流程管理方面阐述了人工智能在期刊编辑环节中的创新作用,重点梳理了科技论文中的复制内容对初审查重工作的影响、编排人员在同一智能排版平台下的修改便利性、参考文献编校中有关专业内容支撑情况的判定、科技期刊深度阅读与碎片化信息特征的协调以及交互式管理系统在编辑流程管理中的促进作用等相关问题。通过深入剖析,文章指出人工智能不仅能辅助编校、发行,还具备专业的内容分析能力与规范的流程管理能力,认为只有坚持与先进的时代工具相结合,才能切实提高科技期刊的编辑质量,推动科技进步。 展开更多
关键词 大数据时代 人工智能 期刊编辑 流程管理 融合出版
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