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半导体光催化剂及其改性技术进展 被引量:237
1
作者 张彭义 余刚 蒋展鹏 《环境科学进展》 CSCD 1997年第3期1-10,共10页
本文介绍了用于水处理的半导体光催化剂的作用原理,综述了近年来有关贵金属淀积、金属离子掺杂、表面光敏化、半导体复合和粘土交联等半导体改性技术的研究,并对其原理进行解释和说明。
关键词 光催化 光催化剂 半导体 半导体改性 废水处理
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半导体多相光催化应用研究进展 被引量:151
2
作者 韩兆慧 赵化侨 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 1999年第1期1-10,共10页
本文综述了半导体多相光催化应用研究现状,对有代表性的光催化剂和新型反应装置作了介绍,阐述与评价了光催化在环境保护、卫生保健、金属催化剂制备、贵金属回收与物质合成等几个主要方面的应用研究成果,并对今后工作的重点提出了一... 本文综述了半导体多相光催化应用研究现状,对有代表性的光催化剂和新型反应装置作了介绍,阐述与评价了光催化在环境保护、卫生保健、金属催化剂制备、贵金属回收与物质合成等几个主要方面的应用研究成果,并对今后工作的重点提出了一些意见。 展开更多
关键词 半导体 光催化剂 多相 二氧化钛
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半导体光催化剂的表面修饰 被引量:135
3
作者 王传义 刘春艳 沈涛 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期2013-2019,共7页
从半导体光催化剂表面修饰的类型、机理及效果出发,对其研究进展作了综合评述.
关键词 半导体 表面修饰 光催化剂
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半导体硫化物纳米微粒的制备 被引量:82
4
作者 舒磊 俞书宏 钱逸泰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-7,共7页
总结了硫化物半导体纳米微粒的各种合成途径,并就水热技术及在此基础上发展起来的溶剂热合成技术在一系列硫化物纳米微粒的制备与尺寸、形状控制中的应用进行了阐述。
关键词 硫化物 纳米微粒 合成 半导体
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表面修饰二氧化钛纳米粒子的结构表征及形成机理 被引量:99
5
作者 邹玲 乌学东 +1 位作者 陈海刚 王大璞 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第4期305-309,共5页
利用溶胶凝胶法在混合溶剂中制备了硬脂酸表面修饰 TiO2纳米粒子,对所合成的纳米粒子通过 FTIR、 XPS、 XRD和 TEM对其结构进行表征 .结果确证了表面有机修饰层的存在,并且是羧酸根与无机内核以双齿配位形式结合;无机纳米内核的结... 利用溶胶凝胶法在混合溶剂中制备了硬脂酸表面修饰 TiO2纳米粒子,对所合成的纳米粒子通过 FTIR、 XPS、 XRD和 TEM对其结构进行表征 .结果确证了表面有机修饰层的存在,并且是羧酸根与无机内核以双齿配位形式结合;无机纳米内核的结晶度很低,但是可以确定为锐钛矿成分,平均粒径约为 6~ 8 nm.提出了表面修饰纳米粒子的形成机理,认为在体系中硬脂酸和水之间发生竞争反应,其过程类似于聚合阻聚反应,最后给出了硬脂酸表面修饰 TiO2纳米粒子的结构模型 . 展开更多
关键词 二氧化钛 表面修饰 纳米粒子 溶胶-凝胶 硬脂酸 制备 结构表征 半导体 结构陶瓷
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光活性二氧化钛膜的制备与应用 被引量:90
6
作者 张彭义 余刚 蒋展鹏 《环境科学进展》 CSCD 1998年第5期50-56,共7页
自80年代末以来,光活性膜由于诱人的应用前景而成为环境领域的研究热点。本文主要介绍溶胶—凝胶法等制备二氧化钛膜的方法及其原理,并根据基于二氧化钛膜的光催化技术的特点简单地讨论了光活性二氧化钛膜的可能应用领域。
关键词 光催化 二氧化钛 制备 膜材料 半导体
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半导体纳米粒子的基本性质及光电化学特性 被引量:60
7
作者 柳闽生 杨迈之 蔡生民 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期20-24,共5页
半导体纳米材料因受尺寸量子效应和介电限域效应等特性的影响,往往具有不同于块体材料和原子或分子的介观性质,在材料学、物理学、化学、催化和环保等方面具有广泛的用途。
关键词 纳米材料 尺寸量子效应 光电化学 半导体
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半导体光催化氧化有机物的研究现状及发展趋势 被引量:84
8
作者 贺北平 王占生 张锡辉 《环境科学》 CAS CSSCI CSCD 北大核心 1994年第3期80-83,共4页
就半导体光催化氧化法的机理、光催化对有机物的氧化能力、提高光催化剂催化活性的途径及固定相光催化的进展等几方面进行了较为全面的概述,并提出了光催化氧化法今后的研究方向。可以预见,光催化氧化将会成为新型有效的水处理手段。
关键词 半导体 催化剂 光催化氧化 有机物
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纳米材料制备研究的若干新进展 被引量:63
9
作者 倪永红 葛学武 +2 位作者 徐相凌 陈家富 张志成 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期9-15,共7页
综述了纳米材料领域在纳米金属(或合金)粉末、纳米管和纳米纤维(纳米棒)、纳米材料的自组装、纳米半导体材料以及纳米复合材料等制备方面的最新进展,并对一些新方法相对于一般纳米材料制备方法的优点进行了比较.
关键词 纤维 半导体 复合材料 纳米材料 制备 进展
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半导体的表面修饰与其光电化学应用 被引量:61
10
作者 岳林海 徐铸德 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第9期28-31,共4页
半导体经表面修饰能提高其光电化学过程的量子效率,扩展其光激发响应范围至可见区,为利用太阳能提供了一个有价值的途径。举例介绍一些半导体表面修饰方法,机理,光电化学性质和应用。
关键词 半导体 表面修饰 光电化学 太阳能利用
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掺Sb二氧化锡半导体导电机理的实验探讨 被引量:69
11
作者 薄占满 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期324-329,共6页
测量了650~1200℃范围内烧成的掺杂 Sb_2O_3的 SnO_2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650~1000℃烧成的样品,Sb_2O_3完全转变成了 Sb_2O_4,1100℃烧成的样品大部分为 Sb_2O_4,而... 测量了650~1200℃范围内烧成的掺杂 Sb_2O_3的 SnO_2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650~1000℃烧成的样品,Sb_2O_3完全转变成了 Sb_2O_4,1100℃烧成的样品大部分为 Sb_2O_4,而1200℃烧成的样品几乎全为 Sb_2O_3。对于不同温度下烧成的样品作了精密晶胞参数测定,结果表明,在半密封条件下,650~1100℃使 Sn_O_2半导化的是 Sb_2O_4中的 Sb^(5+),在1200℃使 SnO_2半导化的是 Sb^(5+)和双电离的氧空位 V。(?)。 展开更多
关键词 半导体 二氧化锡 陶瓷 导电
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可见光响应光催化剂研究进展 被引量:59
12
作者 陈崧哲 张彭义 +1 位作者 祝万鹏 刘福东 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2004年第4期613-619,共7页
本文综述了近年来可见光响应光催化剂的研究进展 ,从窄禁带半导体开发、表面光敏化和离子掺杂三个方面 ,详细探讨了该类光催化剂的构成原理、设计思想、制备方法、目前效果及缺点 ,展望了该领域的研究前景。
关键词 可见光响应光催化剂 半导体 窄禁带半导体 离子掺杂 光敏化
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半导体多相光催化氧化技术 被引量:53
13
作者 王红娟 李忠 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期56-60,共5页
阐述了半导体多相光催化氧化的特点、机理及其应用 ,总结了半导体光催化剂的种类、制备。指出了设计光催化反应器所要考虑的主要方面 ,对影响光催化反应的因素进行了简要分析。
关键词 半导体 多相光催化氧化技术 特点 机理 应用
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半导体纳米微粒在聚合物基体中的复合与组装 被引量:45
14
作者 杨柏 黄金满 +1 位作者 郝恩才 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期1218-1226,共9页
总结了有关半导体纳米微粒在聚合物基体中的制备、复合与组装及性能研究等工作,对半导体纳米微粒的尺寸大小、粒度分布、表面修饰、复合过程及组装维数等控制问题进行了讨论.
关键词 聚合物基体 复合 组装 半导体 纳米微粒
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稀土/纳米TiO_2的表面电子结构 被引量:45
15
作者 梁金生 金宗哲 王静 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期74-76,共3页
用浸泽法对纳米TiO2 粉末进行稀土处理 ,制得稀土 /纳米TiO2 光催化功能材料。利用扫描隧道显微镜 /扫描隧道谱技术研究稀土 /TiO2纳米光催化材料的表面电子结构。结果表明 :在纳米TiO2 中加入铈元素制备的Ce/TiO2 纳米粉末材料 ,其表... 用浸泽法对纳米TiO2 粉末进行稀土处理 ,制得稀土 /纳米TiO2 光催化功能材料。利用扫描隧道显微镜 /扫描隧道谱技术研究稀土 /TiO2纳米光催化材料的表面电子结构。结果表明 :在纳米TiO2 中加入铈元素制备的Ce/TiO2 纳米粉末材料 ,其表面禁带内 -0 8及 +0 5eV附近可出现新能级 ,稀土能促进羟基自由基产生、提高光催化活性 ,可实现可见光条件下光催化净化空气。 展开更多
关键词 稀土 表面电子结构 纳米粉末材料 光催化活性 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 二氧化钛 半导体 光催化剂 空气净化
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半导体多相光催化氧化技术在环境保护中的应用研究进展 被引量:32
16
作者 罗菊仙 赵中一 《地球科学(中国地质大学学报)》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期536-541,共6页
简单介绍了半导体多相光催化氧化的原理及其在降解污染物和环境保护中的应用和一些新型反应装置 ,提出了提高光催化剂催化活性的方法 ,讨论了影响光催化氧化反应速率的因素和提高光催化氧化反应速率的方法 。
关键词 半导体 光催化剂 光催化氧化 污染物
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染料敏化太阳电池研究进展 被引量:54
17
作者 孔凡太 戴松元 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1409-1424,共16页
本文介绍了染料敏化太阳电池(DSC)的结构和基本原理,综述了DSC各项关键技术的实验和产业化研究最新成果。对DSC中的几个重要组成部分:纳米半导体薄膜、染料敏化剂、氧化还原电解质、对电极和导电基底材料等几个方面的研究进展进行了详... 本文介绍了染料敏化太阳电池(DSC)的结构和基本原理,综述了DSC各项关键技术的实验和产业化研究最新成果。对DSC中的几个重要组成部分:纳米半导体薄膜、染料敏化剂、氧化还原电解质、对电极和导电基底材料等几个方面的研究进展进行了详细的评述。回顾了DSC从实验室小电池研究到大规模产业化研究的发展,对该领域未来发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 染料敏化 太阳电池 半导体 对电极 离子液体 导电基底
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纳米ZnO的固相合成及其气敏特性 被引量:40
18
作者 沈茹娟 贾殿赠 +1 位作者 乔永民 王疆瑛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期625-629,共5页
以草酸为原料,与醋酸锌进行固相反应制得前驱化合物,进而热分解得到气敏材料氧化锌。将稀土元素中的镧和钕的氧化物以固相及液相两种合成方法添加到ZnO气敏材料中,并对材料的粒径、气敏性质进行了测定和表征.实验结果表明,用这... 以草酸为原料,与醋酸锌进行固相反应制得前驱化合物,进而热分解得到气敏材料氧化锌。将稀土元素中的镧和钕的氧化物以固相及液相两种合成方法添加到ZnO气敏材料中,并对材料的粒径、气敏性质进行了测定和表征.实验结果表明,用这种方法制备的氧化锌在低的工作温度下对乙醇气体的灵敏度较高,而且选择性较好,具有一定的应用前景. 展开更多
关键词 纳米ZNO 固相合成 气敏特性 氧化锌 半导体 气敏材料
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半导体光催化分解水研究进展 被引量:29
19
作者 李越湘 吕功煊 李树本 《分子催化》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期72-79,共8页
关键词 光催化 光催化剂 水分解 半导体 氢气 太阳能利用
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纳米ZnO的制备及发光特性研究 被引量:44
20
作者 李旦振 陈亦琳 +2 位作者 林熙 王绪绪 付贤智 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1229-1232,共4页
The samples of nano-size ZnO were pre pared by precipitation,hydrolysis,sol-gel method and characterized b y X-ray diffraction,Uv-Vis diffuse r eflection spectrum,and time resolv ed luminescent spectrum.The results sh... The samples of nano-size ZnO were pre pared by precipitation,hydrolysis,sol-gel method and characterized b y X-ray diffraction,Uv-Vis diffuse r eflection spectrum,and time resolv ed luminescent spectrum.The results showed that the crystallite dimensions of a ll ZnO samples were coarsening with i ncreasing annealing temperature an d the grain sizes prepared by sol-gel meth od were obviously smaller than the others prepared by precipitation and h y-drolysis method.Under excitation o f monochromatic light of wavelength300nm,a strong and broad photolumin es-cence(PL)emissions were observed in the wavelength range of 420~780nm.As the grain size decreased,the PL peak positions moved to shorter wavelengths.And as the annealing temperature increased,the peak intensity de-creased.The photoluminescence dec ay profile of ZnO was well described b y three decay components of 46ns,330ns and 1630ns. 展开更多
关键词 ZNO 发光特性 纳米氧化锌 制备 光致发光 纳米材料 半导体
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