摘要
针对不含腐蚀抑制剂苯并三唑(BTA)的碱性铜粗抛(P1)液,研究各成分对铜膜去除速率的影响,选出一种合适的具有高速率的碱性铜粗抛液。实验结果表明:当SiO2磨料体积分数为0.25%、螯合剂(FA/OⅡ)体积分数为0.3%、氧化剂体积分数为0.05%、非离子表面活性剂体积分数为0.3%时,此抛光液铜膜去除速率为602.364 nm/min,达到了工业去除速率的要求,对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜膜表面的形貌具有较好的改善作用。
According to the alkaline copper fast polishing （P1） slurry without the corrosion inhibitor BTA, the effects of each composition on the removal rate of the copper film were studied and the suitable alkaline copper fast polishing slurry with higher removal rate was chosen. The experimental results show that the removal rate of the alkaline fast polishing slurry is 602. 364 nm/min when the volume fractions of the SiO2 abrasive, chelating agent （FA/O Ⅱ ）, oxidant and nonionic surfactant are 0. 25 %, 0. 3 %, 0.05 % and 0.3%, respectively, satisfying the industrial requirements of the removal rate. The alkaline slurry has a better improvement capability for the surface morphology of 3 inches （1 inch = 2.54 cm） copper film.
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2015年第8期526-530,共5页
Micronanoelectronic Technology
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
河北省自然科学基金资助项目(E2013202247
F2012202094)
河北省教育厅资助项目(QN2014208)
河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
关键词
碱性铜粗抛液
化学机械抛光(CMP)
去除速率
磨料
螯合剂
氧化剂
表面活性剂
alkaline copper fast polishing slurry
chemical mechanical polishing （CMP）
removalrate
abrasive
chelating agent
oxidant
surfactant
