摘要
本文利用高真空热蒸发方法,通过调节加热电流、改变蒸发时间和观察石英晶振频率来控制薄膜的生长速度,在硅(111)表面上制备了各种厚度的半金属铋薄膜样品。分别用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了半金属铋薄膜的表面形貌,颗粒尺寸和形状特征。结果表明:只有在适当的沉积时间里,才可以制备出表面平滑、结构致密的薄膜。在薄膜表面可以清晰的看到类三角锥形结构的铋微晶,表明生长得到的铋薄膜的结构具有三角轴择优取向。
出处
《科技资讯》
2013年第9期112-113,137,共3页
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