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La_2O_3掺杂对SnO_2基陶瓷显微结构与电阻率的影响 被引量:8

Effects of La_2O_3 Doping on Microstructure and Resistivity of SnO_2-based Ceramics
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摘要 以La2O3作掺杂剂,制备了La2O3掺杂的SnO2陶瓷。采用XRD、SEM以及其它测试手段对该陶瓷进行测试。结果表明:掺入适量的La2O3能够降低SnO2基陶瓷电阻率,促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到良好的作用。 La2O3 doped SnO2 ceramics were prepared usingLa2O3 as dopant. The products were characterized by XRD, SEM and other testing means. The results show that in a suitable La2O3 doped content could reduces the resistivity of SnO2-based ceramic, promotes the formation and growth of SnO2 crystal, and it improves the performances on the densification of SnO2 ceramics.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期943-947,共5页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 SnO2基陶瓷 氧化镧掺杂 电阻率 SnO2-based ceramic La2O3 doping resistivity
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